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產(chǎn)品型號：STGP-80-12

爐膛尺寸：Φ80x1200mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應用領(lǐng)域：PECVD系統(tǒng)（等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成， 本設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強化學活性，改善反應條件，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)，得到基片上沉積出所期望的薄膜，適用于1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積。

產(chǎn)品型號：STGC-80-12

爐管尺寸：Φ80×1000mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應用領(lǐng)域：化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料